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Memoria de acceso aleatorio no volátil basada en nanotubos de carbono para la computación molecular.

Rueckes1, Kim, Joselevich

  • 1Department of Chemistry and Chemical Biology, Division of Engineering and Applied Sciences, Harvard University, Cambridge, MA 02138, USA.

Science (New York, N.Y.)
|July 7, 2000
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Los investigadores desarrollaron electrónica molecular utilizando nanotubos de carbono para una memoria no volátil de alta densidad y alta velocidad. Un nuevo diseño de nanotubos suspendidos y cruzados crea estados de encendido/apagado para el almacenamiento de bits reversibles.

Área de la Ciencia:

  • La electrónica molecular es la electrónica molecular.
  • Nanotecnología La nanotecnología es la nanotecnología.
  • Ciencia de los materiales ciencia de los materiales.

Sus antecedentes:

  • La electrónica molecular ofrece un camino hacia el almacenamiento de información de ultra-alta densidad.
  • Los nanotubos de carbono poseen propiedades eléctricas únicas adecuadas para dispositivos a nanoescala.

Objetivo del estudio:

  • Desarrollar un concepto para la electrónica molecular utilizando nanotubos de carbono como elementos de dispositivos e interconexiones.
  • Para demostrar la viabilidad de elementos de memoria bistables basados en nanotubos de carbono.

Principales métodos:

  • Cálculos teóricos para modelar el comportamiento del dispositivo.
  • Fabricación experimental y caracterización de un dispositivo de nanotubos suspendido y cruzado.

Videos de Experimentos Relacionados

  • Demostración de estados de encendido/apagado reversibles y bistables.

    • Principales resultados:

    • Se desarrolló un concepto de dispositivo que empleaba nanotubos de carbono suspendidos y cruzados.
    • Se lograron estados de encendido/apagado bistables, con conmutación electrostática.
    • Se realizó experimentalmente un bit basado en nanotubos reversible y bistable.

    Conclusiones:

    • Los nanotubos de carbono pueden servir como elementos activos y cables en dispositivos electrónicos moleculares.
    • El diseño propuesto permite una memoria de acceso aleatorio no volátil con una densidad de integración ultra alta (10^12 cm^-2).
    • Las frecuencias de operación superiores a 100 GHz son alcanzables, allanando el camino para la computación de próxima generación.