Lattice Centering and Coordination Number
P-N junction
Unit Cells
Imperfections in Crystal Structure: Point, Line and Plane Defects
Imperfections in Crystal Structure: Stoichiometric Point Defects
Imperfections in Crystal Structure: Non-Stoichiometric Defects
También podría leer
Artículos vinculados a este trabajo por autores compartidos, revista y gráfico de citas.
Updated: Jun 24, 2026

Comprehensive Characterization of Extended Defects in Semiconductor Materials by a Scanning Electron Microscope
Published on: May 28, 2016
1Department of Physics, Brown University, Providence, Rhode Island 02912, USA. pertsin@barus.physics.brown.edu
Los defectos puntuales en los cristales coloidales, como las vacantes, pueden transformarse en pares de dislocaciones, impulsando la difusión de di-vacancias. El salto de defectos muestra efectos de memoria, no caminatas aleatorias, ofreciendo información sobre la dinámica de los sistemas 2D.
06:57Theoretical Calculation and Experimental Verification for Dislocation Reduction in Germanium Epitaxial Layers with Semicylindrical Voids on Silicon
Published on: July 17, 2020
07:24Quantitative Atomic-Site Analysis of Functional Dopants/Point Defects in Crystalline Materials by Electron-Channeling-Enhanced Microanalysis
Published on: May 10, 2021
Área de la Ciencia:
Sus antecedentes:
Objetivo del estudio:
Principales métodos:
Principales resultados:
Conclusiones: