La rápida deposición de vapor de los nanolaminados de sílice altamente conformes se deposita rápidamente en el vapor

Dennis Hausmann1, Jill Becker, Shenglong Wang

  • 1Department of Chemistry and Chemical Biology, Harvard University, 12 Oxford Street, Cambridge, MA 02138, USA.

Science (New York, N.Y.)
|October 12, 2002
PubMed
Resumen

Este estudio introduce un método más rápido de deposición por capas atómicas (ALD) para crear nanolaminados uniformes y conformes. El nuevo proceso aumenta significativamente las tasas de deposición, lo que permite un recubrimiento eficiente de dispositivos complejos de microelectrónica y óptica.