El transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono con plantilla de ADN para el transistor de efecto de campo

Kinneret Keren1, Rotem S Berman, Evgeny Buchstab

  • 1Department of Physics, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel.

Science (New York, N.Y.)
|November 25, 2003
PubMed
Resumen

Los investigadores desarrollaron un transistor de efecto de campo de nanotubos de carbono autoensamblado utilizando andamios de ADN. Este método posiciona con precisión los nanotubos de carbono y los contactos metálicos para la electrónica molecular a temperatura ambiente.