Jove
Visualize
Contáctanos
JoVE
x logofacebook logolinkedin logoyoutube logo
ACERCA DE JoVE
Visión GeneralLiderazgoBlogCentro de Ayuda JoVE
AUTORES
Proceso de PublicaciónConsejo EditorialAlcance y PolíticasRevisión por ParesPreguntas FrecuentesEnviar
BIBLIOTECARIOS
TestimoniosSuscripcionesAccesoRecursosConsejo Asesor de BibliotecasPreguntas Frecuentes
INVESTIGACIÓN
JoVE JournalMethods CollectionsJoVE Encyclopedia of ExperimentsArchivo
EDUCACIÓN
JoVE CoreJoVE BusinessJoVE Science EducationJoVE Lab ManualCentro de Recursos para ProfesoresSitio de Profesores
Términos y Condiciones de Uso
Política de Privacidad
Políticas

Videos de Conceptos Relacionados

También podría leer

Artículos Relacionados

Artículos vinculados a este trabajo por autores compartidos, revista y gráfico de citas.

Ordenar por
Same author

Minimal twin structures enabling extraordinary thermoelectric power factor of n-type Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> thin films.

Nature communications·2026
Same author

Emerging conduction pathways in semiconducting bismuth-antimony alloys.

Journal of physics. Condensed matter : an Institute of Physics journal·2026
Same author

Exceptional Thermal Switching Performance in 2D MoS<sub>2</sub> Due to Hexagonal to Rhombohedral Phase Transition and Polarization Switch.

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)·2026
Same author

A stoichiometrically conserved homologous series with infinite structural diversity.

Science (New York, N.Y.)·2025
Same author

Terahertz-Induced Tunnel Ionization Drives Coherent Raman-Active Phonon in Bismuth.

Physical review letters·2025
Same author

Current induced electromechanical strain in thin antipolar Ag<sub>2</sub>Se semiconductor.

Nature communications·2025

Video Experimental Relacionado

Updated: Jul 13, 2026

Chemical Synthesis of Porous Barium Titanate Thin Film and Thermal Stabilization of Ferroelectric Phase by Porosity-Induced Strain
08:00

Chemical Synthesis of Porous Barium Titanate Thin Film and Thermal Stabilization of Ferroelectric Phase by Porosity-Induced Strain

Published on: March 27, 2018

Un nuevo material termoeléctrico: CsBi4Te6

Duck-Young Chung1, Tim P Hogan, Melissa Rocci-Lane

  • 1Department of Chemistry and Center for Fundamental Materials Research, Michigan State University, East Lansing, Michigan 48824, USA.

Journal of the American Chemical Society
|May 20, 2004
PubMed
Resumen

El tellururo de bismuto de cesio (CsBi4Te6) es un semiconductor de espacio estrecho. El dopaje optimiza sus propiedades termoeléctricas para aplicaciones a bajas temperaturas, mostrando resultados prometedores con el dopaje SbI3 y Sb.

Más Videos Relacionados

Fabrication of Bi2Te3 and Sb2Te3 Thermoelectric Thin Films using Radio Frequency Magnetron Sputtering Technique
04:22

Fabrication of Bi2Te3 and Sb2Te3 Thermoelectric Thin Films using Radio Frequency Magnetron Sputtering Technique

Published on: May 17, 2024

Demonstrating the Simplicity and In Situ Temperature Monitoring of the Mechanochemical Synthesis of Metal Chalcogenides Suitable for Thermoelectrics
04:09

Demonstrating the Simplicity and In Situ Temperature Monitoring of the Mechanochemical Synthesis of Metal Chalcogenides Suitable for Thermoelectrics

Published on: August 30, 2024

Videos de Experimentos Relacionados

Last Updated: Jul 13, 2026

Chemical Synthesis of Porous Barium Titanate Thin Film and Thermal Stabilization of Ferroelectric Phase by Porosity-Induced Strain
08:00

Chemical Synthesis of Porous Barium Titanate Thin Film and Thermal Stabilization of Ferroelectric Phase by Porosity-Induced Strain

Published on: March 27, 2018

Fabrication of Bi2Te3 and Sb2Te3 Thermoelectric Thin Films using Radio Frequency Magnetron Sputtering Technique
04:22

Fabrication of Bi2Te3 and Sb2Te3 Thermoelectric Thin Films using Radio Frequency Magnetron Sputtering Technique

Published on: May 17, 2024

Demonstrating the Simplicity and In Situ Temperature Monitoring of the Mechanochemical Synthesis of Metal Chalcogenides Suitable for Thermoelectrics
04:09

Demonstrating the Simplicity and In Situ Temperature Monitoring of the Mechanochemical Synthesis of Metal Chalcogenides Suitable for Thermoelectrics

Published on: August 30, 2024

Área de la Ciencia:

  • Ciencia de los materiales Ciencia de los materiales.
  • Química del estado sólido.
  • Física de la materia condensada Física de la materia condensada

Sus antecedentes:

  • Los materiales altamente anisotrópicos son de interés para aplicaciones avanzadas.
  • El tellururo de bismuto de cesio (CsBi4Te6) exhibe una estructura en capas única.
  • Comprender sus propiedades termoeléctricas es crucial para las aplicaciones energéticas.

Objetivo del estudio:

  • Para sintetizar y caracterizar el material anisotrópico CsBi4Te6.6.
  • Para investigar el efecto del dopaje en las propiedades termoeléctricas de CsBi4Te6.6.
  • Evaluar CsBi4Te6 como un potencial material termoeléctrico para aplicaciones a bajas temperaturas.

Principales métodos:

  • Síntesis de CsBi4Te6 a través de la reacción en estado sólido a 600°C.
  • Análisis cristalográfico mediante difracción de rayos X (grupo espacial monoclínico C2/m).
  • Estudios de dopaje con varios agentes (SbI3, Sb) para optimizar el rendimiento termoeléctrico.

Principales resultados:

  • CsBi4Te6 posee una estructura en capas 2D con capas aniónicas [Bi4Te6] y iones Cs+.
  • El dopaje de SbI3 produce un comportamiento de tipo p con un factor de potencia pico de 51,5 μW/cm·K2 a 184 K y ZT de 0,82 a 225 K.
  • El dopaje con 0,06% de Sb alcanza un factor de potencia máximo de 59,8 μW/cm·K2 a 151 K.

Conclusiones:

  • CsBi4Te6 es un semiconductor de espacio estrecho con propiedades termoeléctricas sintonizables.
  • Las estrategias de dopaje optimizadas mejoran su potencial para dispositivos termoeléctricos de baja temperatura.
  • Se presentan estudios adicionales tanto en el tipo n como en el tipo p CsBi4Te6.