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Published on: December 3, 2013
P Strobel1, M Riedel, J Ristein
1Institute for Technical Physics, University of Erlangen, 91054 Erlangen, Germany.
Los investigadores desarrollaron un nuevo método de dopaje para semiconductores de diamante utilizando moléculas C60, evitando la introducción de átomos extraños. Este proceso induce la acumulación de agujeros subterráneos y mejora la conductividad, allanando el camino para los dispositivos electrónicos avanzados de diamante.
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