Transistores orgánicos de efecto de campo de baja tensión de funcionamiento planarizados por puertas habilitados por

Antonio Facchetti1, Myung-Han Yoon, Tobin J Marks

  • 1Department of Chemistry and the Materials Research Center, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208, USA. a-facchetti@northwestern.edu

Resumen

Una nueva técnica de prensado de polímeros en caliente permite la fabricación de transistores planos orgánicos de efecto de campo (OFET). Este método crea sustratos de plástico de puerta lisos y auto-planarizados para revestimiento uniforme de aislantes y circuitos electrónicos de baja tensión.