Cúmulos de GaAs en el régimen de tamaño cuántico: crecimiento en sílice de alta superficie por epitaxia de haz

Science (New York, N.Y.)
|July 28, 1989
PubMed
Resumen

Los puntos cuánticos de arseniuro de galio (GaAs) se cultivaron en soportes de sílice. Los óxidos superficiales pueden limitar la luminiscencia en estas nanoestructuras de semiconductores.

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