Estudio Tomográfico de Rayos X del Procesamiento de Infiltración de Vapores Químicos en el Procesamiento de

Science (New York, N.Y.)
|May 7, 1993
PubMed
Resumen

La tomografía de rayos X de alta resolución reveló cómo el carburo de silicio crece en compuestos de matriz cerámica durante la infiltración de vapor químico. Este estudio valida un modelo que predice la superficie de deposición de la matriz, crucial para el desarrollo de microestructuras compuestas.