Jove
Visualize
Contáctanos
JoVE
x logofacebook logolinkedin logoyoutube logo
ACERCA DE JoVE
Visión GeneralLiderazgoBlogCentro de Ayuda JoVE
AUTORES
Proceso de PublicaciónConsejo EditorialAlcance y PolíticasRevisión por ParesPreguntas FrecuentesEnviar
BIBLIOTECARIOS
TestimoniosSuscripcionesAccesoRecursosConsejo Asesor de BibliotecasPreguntas Frecuentes
INVESTIGACIÓN
JoVE JournalMethods CollectionsJoVE Encyclopedia of ExperimentsArchivo
EDUCACIÓN
JoVE CoreJoVE BusinessJoVE Science EducationJoVE Lab ManualCentro de Recursos para ProfesoresSitio de Profesores
Términos y Condiciones de Uso
Política de Privacidad
Políticas

Video Experimental Relacionado

Updated: Jul 2, 2026

Fabrication of a Solution-gated Indium-Tin-Oxide-based One-piece Transistor Enabling Sensitive Biosensing
10:45

Fabrication of a Solution-gated Indium-Tin-Oxide-based One-piece Transistor Enabling Sensitive Biosensing

Published on: August 29, 2025

Transistores de película delgada de óxido de indio procesados en solución de alto rendimiento.

Hyun Sung Kim1, Paul D Byrne, Antonio Facchetti

  • 1Department of Chemistry and Materials Research Center, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208, USA.

Journal of the American Chemical Society
|September 2, 2008
PubMed
Resumen
Este resumen es generado por máquina.

Videos de Conceptos Relacionados

También podría leer

Artículos Relacionados

Artículos vinculados a este trabajo por autores compartidos, revista y gráfico de citas.

Ordenar por
Same author

Static Otolith Signals Reflect Clinical Course in Acute Vestibular Neuritis.

Clinical otolaryngology : official journal of ENT-UK ; official journal of Netherlands Society for Oto-Rhino-Laryngology & Cervico-Facial Surgery·2026
Same author

Hierarchical hydrogen bonds enable stretchable, self-healing, and high-mobility polymer semiconductors.

National science review·2026
Same author

Implications of Solvent Vapor Annealing on Crystallinity and Orientation of Covalent Organic Framework Thin Films.

ACS omega·2026
Same author

Absence of AMPK expression is an independent risk factor for stage II/III colorectal cancer recurrence.

Current problems in surgery·2026
Same author

Neurosyphilis presenting as ocular motor nerve palsy: two cases and a systematic literature review.

Neurological sciences : official journal of the Italian Neurological Society and of the Italian Society of Clinical Neurophysiology·2026
Same author

Broadly applicable hydrophilic additive enhances electrochemical transistor function.

Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America·2026
Same journal

Carbonylative Aminative Suzuki-Miyaura Coupling: Pd-Catalyzed Synthesis of Amides from Vinyl/Aryl Halides and Boronic Acids.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

Divergent Asymmetric Synthesis of Glutinosasins A-E.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

Ultrastrong Polyketone Hot-Melt Adhesives Enabled by Ni-Catalyzed Carbonylative Polymerization.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

Programmable Anomalous Photovoltaics Enabled by Light-Electric Dual-Field Control.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

Biomimetic Redox-Mediated Proton Relay in Nanoreactors for Photocatalysis.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

The Sulfur Monoxide-Water Complex.

Journal of the American Chemical Society·2026
Ver todos los artículos relacionados

Los transistores de película delgada (TFT) de alto rendimiento de óxido de indio (In2O3) se desarrollaron utilizando un método de recubrimiento de espín. Estos TFT In2O3 exhiben una alta movilidad de electrones y bajos voltajes de funcionamiento, lo que los hace adecuados para aplicaciones electrónicas avanzadas.

Área de la Ciencia:

  • Ciencia de los materiales Ciencia de los materiales.
  • Física de la materia condensada Física de la materia condensada
  • Nanotecnología La nanotecnología es la nanotecnología.

Sus antecedentes:

  • El óxido de indio (In2O3) es un semiconductor de tipo n prometedor para transistores de película delgada (TFT).
  • Lograr una alta movilidad de electrones y bajos voltajes de funcionamiento en In2O3 TFTs es crucial para aplicaciones electrónicas de alta velocidad.
  • El control de la microestructura y la orientación de la película es clave para optimizar el rendimiento del dispositivo semiconductor.

Objetivo del estudio:

  • Para fabricar transistores de película delgada (TFT) In2O3 en varias capas dieléctricas.
  • Para investigar el efecto de la composición de la solución de precursores en la microestructura de la película In2O3 y el rendimiento del dispositivo.
  • Para lograr una alta movilidad de electrones y un funcionamiento eficiente en TFTs basados en In2O3.

Más Videos Relacionados

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
12:32

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

Published on: May 24, 2020

Videos de Experimentos Relacionados

Last Updated: Jul 2, 2026

Fabrication of a Solution-gated Indium-Tin-Oxide-based One-piece Transistor Enabling Sensitive Biosensing
10:45

Fabrication of a Solution-gated Indium-Tin-Oxide-based One-piece Transistor Enabling Sensitive Biosensing

Published on: August 29, 2025

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
12:32

The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors

Published on: May 24, 2020

Principales métodos:

  • Fabricación de transistores de película delgada (TFT) In2O3 utilizando el recubrimiento de soluciones precursoras.
  • Las soluciones precursoras consistían en cloruro de indio (InCl3) y etanolamina (EAA) en methoxyethanol.
  • Utilizó varios dieléctricos, incluido el dióxido de silicio (SiO2) y los nanodieléctricos autoensamblados (ARENAS).

Principales resultados:

  • Se lograron microestructuras de película In2O3 optimizadas con orientación In2O3 00 L de alta movilidad dentro de una base específica: In3 + rango de proporción molar.
  • Se midieron movilidades de electrones tan altas como aproximadamente 44 cm2 V(-1) s(-1) para dispositivos n+-Si/SAND/In2O3/Au.
  • Los dispositivos demostraron altas relaciones de corriente encendido/apagado (Ion/Ioff) de aproximadamente 10 6 y tensiones de funcionamiento por debajo de 5 V.

Conclusiones:

  • El método de recubrimiento de espín con proporciones de precursores optimizadas permite la fabricación de TFT In2O3 de alto rendimiento.
  • La movilidad de los electrones alcanzada y el bajo voltaje de funcionamiento son muy alentadores para las aplicaciones electrónicas de alta velocidad.
  • Los nanodieléctricos autoensamblados (SAND) proporcionan una plataforma adecuada para TFT In2O3 de alto rendimiento.