Crecimiento patronizado de matrices de nanocables de ZnO alineados verticalmente en sustratos inorgánicos a baja

Sheng Xu1, Yaguang Wei, Melanie Kirkham

  • 1School of Material Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332, USA.

Resumen

Desarrollamos un método para el crecimiento de matrices de nanocables alineados de óxido de zinc (ZnO) con un control preciso. Esta técnica permite diversas aplicaciones en electrónica y recolección de energía.