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Published on: January 22, 2019
Tintas inorgánicas acuosas para la fabricación a baja temperatura de TFT de ZnO
Stephen T Meyers1, Jeremy T Anderson, Celia M Hung
1Department of Chemistry, Oregon State University, 153 Gilbert Hall, Corvallis, Oregon 97331-4003, USA.
Journal of the American Chemical Society
|December 5, 2008
Resumen
Los investigadores desarrollaron una tinta acuosa simple y de bajo costo para imprimir películas de óxido de zinc (ZnO). Este ZnO imprimible permite electrónica de alto rendimiento procesada en solución, incluidos los transistores de película delgada (TFT).
Área de la Ciencia:
- Ciencia de los materiales Ciencia de los materiales.
- Nanotecnología La nanotecnología es la nanotecnología.
- Ingeniería Electrónica Ingeniería Electrónica Ingeniería.
Sus antecedentes:
- El desarrollo de métodos rentables y respetuosos con el medio ambiente para la fabricación de películas de semiconductores es crucial para el avance de la electrónica impresa.
- Los métodos tradicionales para producir películas de óxido de zinc (ZnO) a menudo implican productos químicos agresivos, altas temperaturas o procesos complejos.
- Existe una creciente necesidad de técnicas escalables y sostenibles para crear películas de ZnO de alta calidad para aplicaciones electrónicas.
Objetivo del estudio:
- Introducir una nueva formulación de tinta acuosa simple, de bajo costo y no tóxica para la impresión digital de películas de ZnO.
- Para demostrar la viabilidad del uso de esta tinta acuosa de ZnO para la fabricación de dispositivos funcionales de semiconductores a través del procesamiento de soluciones.
- Para investigar las propiedades del material y el rendimiento del dispositivo de las películas de ZnO producidas utilizando técnicas de impresión de inyección de tinta y de recubrimiento de espín.
Principales métodos:
- Se sintetizó una solución acuosa de precursor de zinc a través de la precipitación controlada, purificación y disolución.
- Las películas de ZnO se depositaron utilizando técnicas de impresión de inyección de tinta y recubrimiento de espín.
- La estructura de la película se caracterizó utilizando difracción de rayos X y microscopía electrónica.
- El rendimiento de las películas de ZnO se evaluó mediante su integración en transistores de película delgada (TFT) de puerta inferior.
Principales resultados:
- La tinta acuosa se descompone de manera fiable por debajo de 150 °C para formar wurtzita ZnO.
- Los canales de ZnO impresos por inyección de tinta recocidos a 300°C exhibieron movilidades de 4-6 cm2/V·s en TFTs de modo de mejora.
- Las películas de ZnO con recubrimiento de espina procesadas a 150 °C, combinadas con dieléctricos depositados en solución, lograron movilidades de hasta 1,8 cm2/V·s.
- El estudio demostró el potencial para la fabricación de electrónica a baja temperatura y todo-óxido.
Conclusiones:
- Una tinta acuosa de ZnO estable y no tóxica permite la impresión digital de películas semiconductoras de alta calidad.
- Los TFT de ZnO procesados en solución fabricados con esta tinta muestran características de rendimiento prometedoras.
- Este enfoque ofrece una vía viable para la fabricación de electrónica de óxido de bajo costo, de gran superficie y respetuosa con el medio ambiente.

