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Updated: Jun 22, 2026
Effect of Bending on the Electrical Characteristics of Flexible Organic Single Crystal-based Field-effect Transistors
Published on: November 7, 2016
Monocapas autoensambladas cristalinas ultra suaves de alquilisilanos para transistores orgánicos de efecto de campo
Yutaka Ito1, Ajay A Virkar, Stefan Mannsfeld
1Department of Chemical Engineering, Stanford University, 381 North South Mall, Stanford, California 94305, USA. yutaka_1.ito@toppan.co.jp
Se fabricaron monocapas de organosilano cristalino de alto orden mediante el uso de spin-casting. Estas monocapas autoensambladas (SAM) permiten un crecimiento favorable del semiconductor para una mayor movilidad del portador de carga en los transistores orgánicos de efecto de campo (OFET).
Área de la Ciencia:
- Ciencia de los materiales Ciencia de los materiales.
- Química de las superficies.
- Electrónica orgánica y electrónica orgánica.
Sus antecedentes:
- Las monocapas autoensambladas (SAM) son cruciales para controlar las propiedades de la superficie.
- Los organosilanos ofrecen capacidades versátiles de modificación de la superficie.
- El logro de SAMs cristalinos es clave para el crecimiento ordenado de la película delgada.
Objetivo del estudio:
- Para fabricar y caracterizar SAMs organosilanos cristalinos en sustratos de Si/SiO{2}.
- Para investigar la influencia de estos SAMs en la morfología de la película delgada de semiconductores.
- Para evaluar el rendimiento de los transistores orgánicos de efecto de campo (OFET) fabricados en estas superficies.
Principales métodos:
- Técnica de Spin-casting para la deposición de SAM.
- Caracterización mediante ellipsometría, ángulo de contacto, AFM, GATR-FTIR y GIXD.
- Deposición por vapor de semiconductores orgánicos (pentaceno y C60)).
Principales resultados:
- Fabricación de SAMs octadecyltrimethoxysilane (OTMS) cristalinos bien empacados y de alta suavidad.
- Observación del crecimiento en capas favorable en dos dimensiones para los semiconductores depositados.
- Se ha logrado una alta movilidad de agujero (3,0 cm(2) / V s) en OFETs de pentaceno y movilidad de electrones (5,3 cm(2) / V s) en OFETs de C(60).
Conclusiones:
- Los SAMs de organosilano cristalino proporcionan una excelente plantilla para el crecimiento ordenado de semiconductores.
- Este enfoque mejora significativamente la movilidad del portador de carga en la electrónica orgánica.
- El Spin-casting ofrece un método simple y eficaz para la fabricación de OFET de alto rendimiento.
