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Carrier Generation and Recombination01:22

Carrier Generation and Recombination

Carrier generation is the process by which electron-hole pairs (EHPs) are created within the semiconductor. In direct-bandgap semiconductors, such as gallium arsenide (GaAs), this occurs efficiently when energy absorption prompts valence electrons to leap into the conduction band, leaving behind holes.
This process is given by the generation rate G and is efficient due to the conservation of momentum between the valence band maximum and conduction band minimum.
Indirect generation involves an...

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El agrupamiento de fotones de orden superior en una microcavidad de semiconductor.

M Assmann1, F Veit, M Bayer

  • 1Experimentelle Physik II, Technische Universität Dortmund, D-44221 Dortmund, Germany.

Science (New York, N.Y.)
|July 18, 2009
PubMed
Resumen

Observamos el agrupamiento de fotones en regímenes de acoplamiento fuerte de microcavidades de semiconductores. Este comportamiento cuántico colectivo se desvanece en el régimen de acoplamiento débil, confirmando las predicciones de luz térmica.

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Área de la Ciencia:

  • La óptica cuántica es una óptica cuántica.
  • Física del estado sólido física del estado sólido.
  • Las microcavidades de los semiconductores son microcavidades de los semiconductores.

Sus antecedentes:

  • Las partículas mecánicamente cuánticas indistinguibles, como los fotones, exhiben un comportamiento colectivo.
  • Describir los campos de luz requiere considerar conjuntos de fotones, no sólo partículas independientes.

Objetivo del estudio:

  • Investigar las correlaciones multifotónicas en la emisión de microcavidades de semiconductores.
  • Cuantificar el agrupamiento de pocos fotones en pulsos de luz con alta resolución de tiempo.

Principales métodos:

  • Estudió la emisión de modo único de una microcavidad de semiconductor.
  • Analizó las correlaciones multifotónicas hasta el cuarto orden.
  • Estadísticas de conteo de fotones grabadas con resolución de tiempo de picosegundos.

Principales resultados:

  • Se observó el agrupamiento de fotones en el régimen de acoplamiento fuerte.
  • El agrupamiento de fotones disminuyó en el régimen de acoplamiento débil a medida que la cavidad comenzó a láser.
  • Se ha verificado la predicción factorial n para las funciones de correlación de retardo cero de los fotones de luz térmica.

Conclusiones:

  • El comportamiento colectivo de los fotones es crucial para describir los campos de luz.
  • Los regímenes de acoplamiento en microcavidades influyen significativamente en las correlaciones de fotones.
  • Los resultados experimentales se alinean con las predicciones teóricas para la luz térmica.