Crecimiento preferencial de nanotubos de carbono de pared única con conductividad metálica

Avetik R Harutyunyan1, Gugang Chen, Tereza M Paronyan

  • 1Honda Research Institute USA, 1381 Kinnear Road, Columbus, OH 43212, USA. aharutyunyan@honda-ri.com

Science (New York, N.Y.)
|October 3, 2009
PubMed
Resumen

Los investigadores controlaron la conductividad de los nanotubos de carbono de pared única ajustando las propiedades del catalizador durante la síntesis. Este avance ofrece un camino hacia el crecimiento selectivo de nanotubos metálicos o semiconductores, cruciales para la electrónica avanzada.

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