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Updated: May 3, 2026

Analyzing Dynamic Protein Complexes Assembled On and Released From Biolayer Interferometry Biosensor Using Mass Spectrometry and Electron Microscopy
Published on: August 6, 2018
Análisis estructural y químico átomo por átomo por microscopía electrónica de campo oscuro anular
Ondrej L Krivanek1, Matthew F Chisholm, Valeria Nicolosi
1Nion Co., 1102 8th Street, Kirkland, Washington 98033, USA. krivanek@nion.com
Los investigadores ahora pueden obtener imágenes e identificar cada átomo en materiales ultrafinos utilizando microscopía electrónica de transmisión avanzada. Este avance permite un análisis detallado de las sustituciones atómicas y distorsiones en materiales como el nitruro de boro hexagonal.
Área de la Ciencia:
- Ciencia de los materiales Ciencia de los materiales.
- Nanotecnología La nanotecnología es la nanotecnología.
- Química Analítica La Química Analítica es la
Sus antecedentes:
- La microscopía electrónica de transmisión (TEM, por sus siglas en inglés) se ha imaginado durante mucho tiempo para la obtención de imágenes a nivel atómico.
- Las ópticas corregidas por aberración han avanzado significativamente las capacidades de TEM.
- Resolver e identificar todos los átomos en materiales no periódicos y de múltiples elementos sigue siendo un desafío.
Objetivo del estudio:
- Para demostrar la obtención de imágenes átomo por átomo y la identificación química en materiales ultrafinos.
- Para analizar los defectos de sustitución en una sola capa de nitruro de boro hexagonal (h-BN).
- Para lograr la resolución directa de las distorsiones estructurales a escala atómica.
Principales métodos:
- Utilizó microscopía electrónica de transmisión de barrido corregida por aberración (STEM) con imágenes de campo oscuro anular (ADF).
- Operó el STEM a baja tensión para una mayor sensibilidad.
- Empleado cálculos de la teoría funcional de la densidad (DFT) para la verificación.
Principales resultados:
- Con éxito se resolvió e identificó el tipo químico de cada átomo en la monocapa h-BN.
- Se detectaron y caracterizaron tres tipos de defectos de sustitución: C en B, C en N, y O en N sitios.
- Las distorsiones en el plano directamente observadas de aproximadamente 0,1 Å causadas por sustituciones.
Conclusiones:
- El análisis estructural y químico átomo por átomo ahora es posible para los átomos resistentes al daño por radiación en láminas ultrafinas.
- Esta técnica proporciona una visión sin precedentes de los defectos a escala atómica y su impacto en la estructura del material.
- Los hallazgos allanan el camino para la caracterización avanzada de materiales 2D y nanoestructuras.
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