Rectificación de corriente dependiente de la velocidad de escaneo de los nanoporos de sílice en forma de cono en

Joshua P Guerrette1, Bo Zhang

  • 1Department of Chemistry, University of Washington, Seattle, Washington 98195-1700, USA.

Resumen

El comportamiento voltamétrico de los nanoporos de sílice en forma de cono muestra una rectificación de corriente dependiente de la velocidad de escaneo. La rectificación máxima ocurre a bajas velocidades de escaneo, mientras que las altas velocidades de escaneo producen una respuesta lineal debido a la redistribución iónica.

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