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Updated: Jun 3, 2026

Fabrication of Gate-tunable Graphene Devices for Scanning Tunneling Microscopy Studies with Coulomb Impurities
Published on: July 24, 2015
Chi-Fan Chen1, Cheol-Hwan Park, Bryan W Boudouris
1Department of Physics, University of California at Berkeley, Berkeley, California 94720, USA.
Los investigadores controlaron las vías de dispersión de luz inelástica en el grafeno utilizando dopaje electrostático. El bloqueo de algunas vías amplificó inesperadamente la intensidad de Raman, revelando interferencia cuántica y luminiscencia de electrones calientes en el grafeno dopado.
Área de la Ciencia:
Sus antecedentes:
Objetivo del estudio:
Principales métodos:
Principales resultados:
Conclusiones: