Origen vibratorio de la estabilidad térmica en el material piezoeléctrico de alto rendimiento GaAsO4

O Cambon1, G M Bhalerao, D Bourgogne

  • 1Institut Charles Gerhardt Montpellier, UMR-CNRS-UM2-ENSCM-UM1 5253, Université Montpellier 2, Place E. Bataillon, 34095 Montpellier, Cedex 5, France. olivier.cambon@univ-montp2.fr

Resumen

El fosfato de arseniato de galio (GaAsO4) exhibe un trastorno dinámico mínimo a altas temperaturas debido a la ausencia de modos de libración tetraédricos. Este hallazgo destaca su potencial para exigentes aplicaciones a altas temperaturas.

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