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Updated: Jun 1, 2026

Optimized Fabrication Procedure for High-Quality Graphene-based Moiré Superlattice Devices
Published on: July 11, 2025
Yu-Ming Lin1, Alberto Valdes-Garcia, Shu-Jen Han
1IBM Thomas J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, USA. yming@us.ibm.com
Un nuevo circuito de grafeno a escala de obleas integra transistores e inductores en carburo de silicio. Este mezclador de radiofrecuencia de banda ancha funciona hasta 10 GHz y muestra una excelente estabilidad térmica, allanando el camino para la electrónica avanzada de grafeno.
Área de la Ciencia:
Sus antecedentes:
Objetivo del estudio:
Principales métodos:
Principales resultados:
Conclusiones: