Los polialquiltiofenos 3,4-disubstituidos para transistores de película delgada de alto rendimiento y energía

Sangwon Ko1, Eric Verploegen, Sanghyun Hong

  • 1Department of Chemistry, Stanford University, Stanford, California 94305, USA.

Resumen

Los nuevos poli- 3,4-dialquiltertiofenos (P34ATs) ofrecen una mejor estabilidad ambiental y un rendimiento del transistor comparable al de los poli- 3,4-alquiltertiofenos (P3ATs). Este descubrimiento desafía la necesidad de un fuerte apilamiento π-π para una alta movilidad de la carga portadora en la electrónica orgánica.

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