Jove
Visualize
Contáctanos

Videos de Conceptos Relacionados

Types of Semiconductors01:20

Types of Semiconductors

Intrinsic semiconductors are highly pure materials with no impurities. At absolute zero, these semiconductors behave as perfect insulators because all the valence electrons are bound, and the conduction band is empty, disallowing electrical conduction. The Fermi level is a concept used to describe the probability of occupancy of energy levels by electrons at thermal equilibrium. In intrinsic semiconductors, the Fermi level is positioned at the midpoint of the energy gap at absolute zero. When...
Semiconductors01:22

Semiconductors

There is variation in the electrical conductivity of materials - metals, semiconductors, and insulators that are showcased with the help of the energy band diagrams.
Metals such as copper (Cu), zinc (Zn), or lead (Pb) have low resistivity and feature conduction bands that are either not fully occupied or overlap with the valence band, making a bandgap non-existent. This allows electrons in the highest energy levels of the valence band to easily transition to the conduction band upon gaining...
Metal-Semiconductor Junctions01:24

Metal-Semiconductor Junctions

The contact of metal and semiconductor can lead to the formation of a junction with either Schottky or Ohmic behavior.
Schottky Barriers
Schottky barriers arise when a metal with a work function (Φm) contacts a semiconductor with a different work function (Φs). Initially, electrons transfer until the Fermi levels of the metal and semiconductor align at equilibrium. For instance, if Φm > Φs, the semiconductor Fermi level is higher than the metal's before contact. The semiconductor's...
Biasing of Metal-Semiconductor Junctions01:27

Biasing of Metal-Semiconductor Junctions

Biasing metal-semiconductor junctions involves applying a voltage across the junction. Specifically, the metal is connected to a voltage source, while the semiconductor is grounded. This technique is essential for controlling the direction and magnitude of current flow in electronic devices, including diodes, transistors, and photovoltaic cells.
In Schottky junctions, where the semiconductor is n-type, applying a positive voltage to the metal relative to the semiconductor reduces its Fermi...

También podría leer

Artículos Relacionados

Artículos vinculados a este trabajo por autores compartidos, revista y gráfico de citas.

Ordenar por
Same author

Amplified chiroptic response in a multi-helical penta-perylene structure.

Chemical science·2026
Same author

Designing effective single-molecule electromagnets with radially π-conjugated carbon structures.

Nature communications·2026
Same author

Scanning Tunneling Microscope-Based Break-Junction TechniqueA Tutorial.

ACS physical chemistry Au·2026
Same author

A Computationally Efficient and Accurate Method for Predicting Conductance of Single-Molecule Junctions.

Nano letters·2026
Same author

Strong Coupling in Orthogonal Nanographenes.

Chemistry (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)·2026
Same author

Ion-Conductive Wires Form High-Performance All-Solid-State Polymer Electrolytes.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

A Ni-Mediated Cross-Coupling Approach to Deuterated <sup>18</sup>F- Fluoromethylated (Hetero)arenes.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

Efficient Light-Driven CO<sub>2</sub> Capture and Reversible Release Enabled by Metastable Photoacid-Decorated Metal-Organic Frameworks.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

In Situ Raman Spectroscopy Reveals the Dynamic Evolution and Ethanol Dependence of SEI Structure in Li-Mediated N<sub>2</sub> Reduction Reaction.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

Solvent Esterification and Stoichiometric Control in Ambient-Grown FAPbI<sub>3</sub> Single-Crystal Solar Cells.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

Unlocking Azulene Functionalization via Strain-Induced Azulyne Intermediates.

Journal of the American Chemical Society·2026
Same journal

An Oxazine-Locked Covalent Organic Framework by a Tandem Pinner/Schiff Base Reaction for Hydrogen Peroxide Photosynthesis.

Journal of the American Chemical Society·2026
Ver todos los artículos relacionados
JoVE
x logofacebook logolinkedin logoyoutube logo
ACERCA DE JoVE
Visión GeneralLiderazgoBlogCentro de Ayuda JoVE
AUTORES
Proceso de PublicaciónConsejo EditorialAlcance y PolíticasRevisión por ParesPreguntas FrecuentesEnviar
BIBLIOTECARIOS
TestimoniosSuscripcionesAccesoRecursosConsejo Asesor de BibliotecasPreguntas Frecuentes
INVESTIGACIÓN
JoVE JournalMethods CollectionsJoVE Encyclopedia of ExperimentsArchivo
EDUCACIÓN
JoVE CoreJoVE BusinessJoVE Science EducationJoVE Lab ManualCentro de Recursos para ProfesoresSitio de Profesores
Términos y Condiciones de Uso
Política de Privacidad
Políticas

Video Experimental Relacionado

Updated: May 24, 2026

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics
13:58

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Published on: September 28, 2016

El silicio molecular conductor es de silicio.

Rebekka S Klausen1, Jonathan R Widawsky, Michael L Steigerwald

  • 1Department of Chemistry, Columbia University, New York, New York 10027, United States.

Journal of the American Chemical Society
|February 23, 2012
PubMed
Resumen
Este resumen es generado por máquina.

Los investigadores sintetizaron oligosilanos para estudiar las propiedades electrónicas del silicio. Descubrieron que los enlaces sigma del silicio conducen la electricidad de manera similar a los enlaces pi del carbono, lo que afecta la conductividad de los semiconductores.

Más Videos Relacionados

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping
14:58

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

Published on: June 3, 2015

Fabrication and Characterization of High-Q Silicon Nitride Membrane Resonators
09:46

Fabrication and Characterization of High-Q Silicon Nitride Membrane Resonators

Published on: August 8, 2025

Videos de Experimentos Relacionados

Last Updated: May 24, 2026

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics
13:58

Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics

Published on: September 28, 2016

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping
14:58

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

Published on: June 3, 2015

Fabrication and Characterization of High-Q Silicon Nitride Membrane Resonators
09:46

Fabrication and Characterization of High-Q Silicon Nitride Membrane Resonators

Published on: August 8, 2025

Área de la Ciencia:

  • Ciencia de los materiales Ciencia de los materiales.
  • Física de la materia condensada Física de la materia condensada
  • Química orgánica es la química orgánica.

Sus antecedentes:

  • El silicio a granel, fundamental para la tecnología de la información, tiene una estructura electrónica simple basada en enlaces Si-Si sigma.
  • El diamante comparte la estructura de celosía del silicio, pero exhibe propiedades electrónicas muy diferentes, destacando la importancia de la unión.
  • Comprender la conductividad del silicio a nivel molecular es crucial para el avance de la tecnología de semiconductores.

Objetivo del estudio:

  • Para sintetizar y caracterizar eléctricamente los oligosilanos, moléculas que presentan enlaces Si-Si sigma que interactúan.
  • Para comparar la conductancia de una sola molécula de los oligosilanos con la de los alcanos.
  • Investigar el papel de la conjugación sigma en la conductividad eléctrica de materiales basados en silicio.

Principales métodos:

  • Utilizó la técnica de unión de ruptura basada en microscopio de túnel de barrido para mediciones eléctricas de una sola molécula.
  • Sintetizó una clase de moléculas de oligosilano con diferentes longitudes de cadena.
  • Medido y analizado el decaimiento de la conductancia con el aumento de la longitud molecular.

Principales resultados:

  • Los oligosilanos exhiben un decaimiento exponencial en la conductancia molecular con el aumento de la longitud de la cadena.
  • La constante de desintegración observada (β = 0,27 ± 0,01 Å(-1)) es comparable a la de los enlaces pi conjugados carbono-carbono.
  • Esto indica un transporte significativo de carga a través de enlaces sigma en el silicio.

Conclusiones:

  • La conjugación sigma en el silicio es un factor crítico que influye en su conductividad eléctrica.
  • Los oligosilanos sirven como un sistema modelo para comprender el transporte de carga en el silicio.
  • Los hallazgos tienen implicaciones para el diseño de nuevos materiales y dispositivos electrónicos basados en silicio.