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Updated: May 22, 2026

Fabrication of Gate-tunable Graphene Devices for Scanning Tunneling Microscopy Studies with Coulomb Impurities
Published on: July 24, 2015
Barristor de grafeno, un dispositivo de triodo con una barrera Schottky controlada por puertas
Heejun Yang1, Jinseong Heo, Seongjun Park
1Graphene Research Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Yongin 446-712, Korea.
Los investigadores desarrollaron un barristor de barrera variable de grafeno (GB) que logró una alta relación encendido/apagado de 10^5. Este avance en la electrónica de grafeno utiliza una nueva interfaz grafeno-silicio para mejorar el rendimiento del transistor.
Área de la Ciencia:
- Ciencia de los materiales Ciencia de los materiales.
- Física de los semiconductores Física de los semiconductores
- La nanoelectrónica es la nanoelectrónica.
Sus antecedentes:
- La investigación en electrónica de grafeno se ha enfrentado a desafíos para lograr suficientes relaciones de corriente encendida/apagada (encendido/apagado) con estructuras de dispositivos convencionales.
- Los transistores de grafeno existentes a menudo luchan por satisfacer las demandas de rendimiento para aplicaciones electrónicas prácticas debido a las limitaciones en la modulación de corriente.
Objetivo del estudio:
- Para superar las limitaciones de los transistores de grafeno convencionales mediante el desarrollo de una nueva estructura de dispositivo.
- Para lograr una alta relación de encendido/apagado de corriente en dispositivos activos basados en grafeno.
- Para demostrar el potencial de este nuevo dispositivo para aplicaciones de circuitos lógicos.
Principales métodos:
- Desarrollo de un dispositivo activo de tres terminales: un barristor de barrera variable de grafeno (GB).
- Fabricación que utiliza una interfaz atómicamente afilada entre grafeno y silicio hidrogenado.
- Control de la altura de la barrera de Schottky de grafeno y silicio a través de la modulación de la tensión de la puerta.
Principales resultados:
- Se logró una gran modulación en la corriente del dispositivo con una relación encendido/apagado de 10^5.5.
- Se ha demostrado la capacidad de ajuste de la altura de la barrera de Schottky a 0,2 electronvoltios debido a la ausencia de fijación a nivel de Fermi.
- Fabricó con éxito GBs complementarios de tipo p y n en obleas de 150 mm e integrólos en los circuitos lógicos del inversor y la mitad de la adición.
Conclusiones:
- El barristor de barrera variable de grafeno (GB) ofrece una solución viable para lograr altas relaciones de encendido/apagado en la electrónica de grafeno.
- La interfaz de grafeno y silicio atómicamente nítida es crucial para la modulación efectiva de la barrera y el rendimiento del dispositivo.
- Los circuitos lógicos demostrados destacan el potencial de GBs para futuras aplicaciones nanoelectrónicas.
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