Utilizando transitorios de fotocorriente para la fotodetección basada en tioleno: mejoras graduales en las longitudes

Simon Dalgleish1, Michio M Matsushita, Laigui Hu

  • 1Department of Chemistry and Research Centre for Materials Science, Nagoya University, Chikusa, Nagoya, Japan. dalgleish.simon.john@j.mbox.nagoya-u.ac.jp

Resumen

Los investigadores mejoraron la fotodetección en el infrarrojo cercano utilizando bis- ((4-dimetilaminodithiobenzil) -Ni ((II) (BDN) en una estructura de metal / aislante / semiconductor / metal (MISM). Este diseño MISM aumenta la fotocorriente y permite la comunicación óptica de alta frecuencia, logrando una alta detectividad más allá de los límites del fotodiodo de silicio.