Jove
Visualize
Contáctanos
JoVE
x logofacebook logolinkedin logoyoutube logo
ACERCA DE JoVE
Visión GeneralLiderazgoBlogCentro de Ayuda JoVE
AUTORES
Proceso de PublicaciónConsejo EditorialAlcance y PolíticasRevisión por ParesPreguntas FrecuentesEnviar
BIBLIOTECARIOS
TestimoniosSuscripcionesAccesoRecursosConsejo Asesor de BibliotecasPreguntas Frecuentes
INVESTIGACIÓN
JoVE JournalMethods CollectionsJoVE Encyclopedia of ExperimentsArchivo
EDUCACIÓN
JoVE CoreJoVE BusinessJoVE Science EducationJoVE Lab ManualCentro de Recursos para ProfesoresSitio de Profesores
Términos y Condiciones de Uso
Política de Privacidad
Políticas

Videos de Conceptos Relacionados

Types of Semiconductors01:20

Types of Semiconductors

Intrinsic semiconductors are highly pure materials with no impurities. At absolute zero, these semiconductors behave as perfect insulators because all the valence electrons are bound, and the conduction band is empty, disallowing electrical conduction. The Fermi level is a concept used to describe the probability of occupancy of energy levels by electrons at thermal equilibrium. In intrinsic semiconductors, the Fermi level is positioned at the midpoint of the energy gap at absolute zero. When...
Semiconductors01:22

Semiconductors

There is variation in the electrical conductivity of materials - metals, semiconductors, and insulators that are showcased with the help of the energy band diagrams.
Metals such as copper (Cu), zinc (Zn), or lead (Pb) have low resistivity and feature conduction bands that are either not fully occupied or overlap with the valence band, making a bandgap non-existent. This allows electrons in the highest energy levels of the valence band to easily transition to the conduction band upon gaining...
Metal-Semiconductor Junctions01:24

Metal-Semiconductor Junctions

The contact of metal and semiconductor can lead to the formation of a junction with either Schottky or Ohmic behavior.
Schottky Barriers
Schottky barriers arise when a metal with a work function (Φm) contacts a semiconductor with a different work function (Φs). Initially, electrons transfer until the Fermi levels of the metal and semiconductor align at equilibrium. For instance, if Φm > Φs, the semiconductor Fermi level is higher than the metal's before contact. The semiconductor's...
MOS Capacitor01:25

MOS Capacitor

A Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor is a fundamental structure used extensively in semiconductor device technology, particularly in the fabrication of integrated circuits and MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors). The MOS capacitor consists of three layers: a metal gate, a dielectric oxide, and a semiconductor substrate.
The metal gate is typically made from highly conductive materials such as aluminum or polysilicon. Beneath the metal gate lies a thin layer of...
Non-ohmic Devices00:51

Non-ohmic Devices

In most substances, the current flow is proportional to the voltage applied to it. A simple relationship between the values of current, voltage, and resistance is known as Ohm's law. Nonohmic devices do not exhibit a linear relationship between voltage and current. One such device is the semiconducting circuit element known as a diode. A diode is a circuit device that allows current flow in only one direction.
Consider a simple circuit consisting of a battery, a diode, and a resistor. A diode...

También podría leer

Artículos Relacionados

Artículos vinculados a este trabajo por autores compartidos, revista y gráfico de citas.

Ordenar por
Same author

Stretchable high-fill-factor silicon-liquid metal platform for multilevel visual acquisition and depth sensing.

Nature materials·2026
Same author

Edge-intelligent bimodal iontronic skin for human-robot collaboration.

National science review·2026
Same author

Broadband Circularly Polarized Light Detection via Spin-Selective Charge Transport in Quantum Dot Photodiodes.

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)·2026
Same author

Facile and robust integration of functional hydrogels into micropillar-structured elastomer platforms for stable cardiac bioelectronics.

Science advances·2026
Same author

Chemically anchored metal-hydrogel bilayers for ultrasoft and metallic biointerfaces.

Nanoscale horizons·2025
Same author

2D Silver Nanosheet Assembly for an Isotropic, Stretchable, and Highly Conductive Nanomembrane.

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)·2025

Video Experimental Relacionado

Updated: May 18, 2026

Silicon Microchips for Manipulating Cell-cell Interaction
23:21

Silicon Microchips for Manipulating Cell-cell Interaction

Published on: August 30, 2007

Una forma físicamente transitorio de la electrónica de silicio.

Suk-Won Hwang1, Hu Tao, Dae-Hyeong Kim

  • 1Department of Materials Science and Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, IL 61801, USA.

Science (New York, N.Y.)
|September 29, 2012
PubMed
Resumen
Este resumen es generado por máquina.

Los investigadores desarrollaron electrónica de silicio transitorio que se disuelve en el cuerpo después de su uso. Este avance permite dispositivos médicos implantables temporales, como un bactericida programable, que ofrece nuevas posibilidades para el cuidado de la salud.

Más Videos Relacionados

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping
14:58

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

Published on: June 3, 2015

Epitaxial Nanostructured α-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices
11:34

Epitaxial Nanostructured α-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices

Published on: October 6, 2020

Videos de Experimentos Relacionados

Last Updated: May 18, 2026

Silicon Microchips for Manipulating Cell-cell Interaction
23:21

Silicon Microchips for Manipulating Cell-cell Interaction

Published on: August 30, 2007

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping
14:58

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping

Published on: June 3, 2015

Epitaxial Nanostructured α-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices
11:34

Epitaxial Nanostructured α-Quartz Films on Silicon: From the Material to New Devices

Published on: October 6, 2020

Área de la Ciencia:

  • Ciencia e Ingeniería de Materiales Ciencia e Ingeniería de Materiales.
  • Ingeniería Biomédica Ingeniería Biomédica.
  • Ingeniería Eléctrica Ingeniería Eléctrica.

Sus antecedentes:

  • Los electrónicos de silicio actuales están diseñados para la invarianza física a largo plazo.
  • Existe la necesidad de dispositivos implantables con vidas controladas que se reabsorban en el cuerpo.
  • Esto aborda las limitaciones de los implantes permanentes y la necesidad de intervenciones médicas temporales.

Objetivo del estudio:

  • Desarrollar tecnología de semiconductores de óxido metálico complementarios (CMOS) basados en silicio transitorio.
  • Para permitir dispositivos implantables con una vida útil operativa definida y su posterior reabsorción.
  • Para integrar sensores, actuadores, alimentación y control inalámbrico para sistemas transitorios.

Principales métodos:

  • Desarrollo de nuevos materiales y esquemas de fabricación para electrónica de silicio transitorio.
  • Diseño de componentes de dispositivos que permitan la degradación y la reabsorción controladas.
  • Integración de sensores, actuadores, fuente de alimentación y estrategias de control inalámbrico.
  • Herramientas de diseño teórico para la ingeniería de dispositivos transitorios.

Principales resultados:

  • Demostración exitosa de la tecnología CMOS basada en silicio con comportamiento transitorio.
  • Integración de componentes esenciales para dispositivos implantables funcionales.
  • Desarrollo de un ejemplo a nivel de sistema: un bactericida no antibiótico programable.

Conclusiones:

  • La electrónica de silicio transitoria ofrece una vía para dispositivos implantables temporales y reabsorbibles.
  • Esta tecnología permite nuevas aplicaciones médicas, como intervenciones específicas y temporales.
  • La plataforma desarrollada soporta sensores integrados, accionamiento, potencia y control para sistemas transitorios.