Metalización en la fase de vapor por deposición de la capa atómica en un marco metálico-orgánico

Joseph E Mondloch1, Wojciech Bury, David Fairen-Jimenez

  • 1Department of Chemistry, and Chemical and Biological Engineering, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208, United States.

Resumen

Los investigadores desarrollaron una nueva estrategia de metalización en fase gaseosa para estructuras metal-orgánicas (MOF) utilizando deposición en capas atómicas (ALD). Este nuevo método, denominado AIM, permite la funcionalización de MOF a través de precursores de la fase gaseosa, ampliando las posibilidades de diseño de materiales.