El origen del alto rendimiento en los materiales termoeléctricos basados en GeTe se debe al dopaje de Bi2Te3

Di Wu1, Li-Dong Zhao, Shiqiang Hao

  • 1Department of Physics, South University of Science and Technology of China , Shenzhen 518055, P. R. China.

Resumen

Los investigadores lograron una alta cifra de mérito termoeléctrico (ZT) de ~ 1.9 a 773 K en aleaciones de GeTe sin plomo mediante la adición de telururo de bismuto. Esta adición redujo la conductividad térmica y mejoró la potencia térmica a través de efectos únicos de estructura de banda.