Contactos enlazados por extremo para transistores de nanotubos de carbono con baja resistencia, independientemente de...

Área de la Ciencia:

• Ciencias de los materiales
• Nanotecnología
• Ingeniería eléctrica

Sus antecedentes:

• Los transistores de silicio se enfrentan a límites de escala debido al aumento de la resistencia al contacto con el tamaño decreciente.
• Los nanotubos de carbono ofrecen canales de alto rendimiento por debajo de 10 nm, pero sufren problemas de resistencia al contacto similares.
• Los esquemas convencionales de contacto lateral o plano dificultan el rendimiento de los transistores a nanoescala.

Objetivo del estudio:

• Desarrollar una nueva tecnología de transistores de nanotubos de carbono de pared única (SWNT).
• Para superar las limitaciones de resistencia al contacto dependientes del tamaño en los transistores de nanoescala.
• Permitir la fabricación de transistores SWNT de alto rendimiento para futuras tecnologías de dispositivos a escala.

Principales métodos:

• Fabricación de transistores SWNT que utilizan un esquema de contacto enlazado por extremo.
• Formación de contactos de tipo p enlazados por la reacción del molibdeno con SWNT para crear carburo.
• Caracterización de la resistencia y la corriente en funcionamiento del dispositivo para longitudes de contacto inferiores a 10 nanómetros.

Principales resultados:

• Se logró una resistencia al contacto independiente del tamaño, superando un obstáculo importante en el rendimiento.
• Transistores SWNT de alto rendimiento fabricados con una resistencia del dispositivo inferior a 36 kilohm.
• Se demostró una corriente de más de 15 microamperios por tubo sin barrera de Schottky observada.

Conclusiones:

• El esquema de contacto enlazado por extremo elimina efectivamente la resistencia de contacto dependiente del tamaño en los transistores SWNT.
• Esta tecnología permite la creación de transistores SWNT altamente eficientes y a escala.
• La estrategia desarrollada allana el camino para la próxima generación de dispositivos electrónicos más allá de las limitaciones actuales del silicio.