Crecimiento controlado de nanotubos de carbono semiconductores y metálicos de una sola pared

Chang Liu1, Hui-Ming Cheng1

  • 1Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences , Shenyang 110016, China.

Resumen

Los investigadores están desarrollando métodos para controlar las propiedades eléctricas de los nanotubos de carbono de pared única (SWCNT). Este avance tiene como objetivo superar los desafíos en el uso de SWCNT para la electrónica al permitir tipos semiconductores o metálicos uniformes.