Ecological Disturbance
Habitat Fragmentation
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Updated: Jan 25, 2026

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Published on: November 14, 2017
Javier Del Valle1, Pavel Salev2, Federico Tesler3,4
1Center for Advanced Nanoscience, Department of Physics, University of California-San Diego, La Jolla, CA, USA. jdelvallegranda@ucsd.edu.
Los nanodispositivos Mott exhiben un efecto de memoria después de la conmutación resistiva. Incluso después de volver a un estado aislante, los voltajes subumbral pueden volver a desencadenar la transición, permitiendo nuevas aplicaciones de memoria volátiles.
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