K[Bi4-MnS6], Diseño de un material de intercambio iónico altamente selectivo y un semiconductor 2D de brecha directa

Ruiqi Wang1, Haijie Chen2, Yi Xiao1

  • 1Beijing National Laboratory for Molecular Sciences and State Key Laboratory of Rare Earth Materials Chemistry and Applications, College of Chemistry and Molecular Engineering , Peking University , Beijing 100871 , P. R. China.

Resumen

Desarrollamos un nuevo sulfuro en capas, K[Bi4-xMnxS6], para la eliminación eficiente de metales pesados de las aguas residuales. Este material también funciona como semiconductor 2D, mostrando una promesa para la optoelectrónica y la remediación ambiental.