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Updated: Jan 3, 2026

Silicon Metal-oxide-semiconductor Quantum Dots for Single-electron Pumping
Published on: June 3, 2015
Interruptores nano-ópticos y electro-mecánicos que funcionan a tensiones de nivel CMOS
Christian Haffner1,2,3, Andreas Joerg4, Michael Doderer4
1Institute of Electromagnetic Fields (IEF), ETH Zurich, 8092 Zurich, Switzerland. christian.haffner@nist.gov.
Los investigadores desarrollaron un nuevo dispositivo híbrido fotónico-plasmónico para la conmutación rápida y de baja pérdida de luz utilizando voltajes de semiconductores de óxido de metal complementarios (CMOS). Este avance permite la optoelectrónica en el chip y las redes neuronales ópticas.
Área de la Ciencia:
- Optoelectrónica y sus derivados
- La nanofotónica
- Las plasmónicas
- Fotónica integrada
- MEMS y NEMS
Sus antecedentes:
- La optoelectrónica integrada en el chip requiere una interfaz perfecta entre las redes ópticas y la electrónica de semiconductores de óxido de metal (CMOS) complementaria.
- Las tecnologías existentes se enfrentan a desafíos para lograr una modulación de la luz eficiente, de baja pérdida y de alta velocidad compatible con la fabricación CMOS.
Objetivo del estudio:
- Demostrar una estructura fotónica plasmónica híbrida capaz de cambiar la luz utilizando voltajes compatibles con CMOS.
- Para lograr velocidades de conmutación rápidas con pérdidas ópticas mínimas para los sistemas ópticos en chip.
Principales métodos:
- Fabricación de guías de onda híbridas fotónico-plasmónicas a escala micrométrica que utilizan una membrana dorada para crear un espacio de aire variable.
- Explotación de efectos optoelectro-mecánicos, donde la activación electrostática modula el espacio de aire, alterando el confinamiento de la luz.
- Integración de confinamiento plasmónico dentro de la brecha de aire para un fuerte acoplamiento optoelectro-mecánico y confinamiento fotónico para minimizar las pérdidas.
Principales resultados:
- Demostración exitosa de la conmutación de la luz a tensiones CMOS con pérdidas ópticas notablemente bajas de 0,1 decibelios.
- Se logran velocidades de conmutación rápidas del orden de decenas de nanosegundos debido a la baja masa de la membrana de oro perturbada.
- Se observa un fuerte efecto opto-electro-mecánico debido al confinamiento de la luz plasmónica en el espacio de aire variable.
Conclusiones:
- La arquitectura híbrida desarrollada ofrece una vía viable para crear sistemas ópticos reprogramables integrados en CMOS.
- Esta tecnología tiene un potencial significativo para aplicaciones en áreas como las redes neuronales ópticas para el aprendizaje profundo.
- El enfoque demostrado allana el camino para dispositivos optoelectrónicos avanzados en chip con alto rendimiento y escalabilidad.
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