Jove
Visualize
Contáctanos

Videos de Conceptos Relacionados

MOSFET01:16

MOSFET

The Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) plays a pivotal role in modern electronics thanks to its versatility and efficiency in controlling electrical currents. This device, also known as IGFET, MISFET, and MOSFET, has three main terminals: the Source, Drain, and Gate. MOSFETs are classified into n-channel or p-channel types based on the doping characteristics of their substrate and the source or drain regions.
In an n-MOSFET, the structure includes n-type source and drain...
MOSFET: Enhancement Mode01:22

MOSFET: Enhancement Mode

Enhancement-mode MOSFETs are pivotal components in electronics, distinguished by their capacity to act as highly efficient switches. They are part of the larger family of metal-oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs). They are available in two types: p-channel and n-channel, each tailored to specific polarity operations.
In their basic form, enhancement-mode MOSFETs are typically non-conductive when the gate-source voltage (Vgs) is zero. This default 'off' state means no current...
MOSFET: Depletion Mode01:20

MOSFET: Depletion Mode

Depletion-mode MOSFETs represent a unique subset of MOSFET technology, functioning fundamentally differently from their enhancement-mode counterparts. Unlike enhancement MOSFETs, which require a positive gate-source voltage (Vgs) to turn on, depletion-mode MOSFETs are inherently conductive and "normally on" devices.
The primary characteristic of depletion-mode MOSFETs is their ability to conduct current between the drain and source terminals without gate bias. This inherent conductivity arises...
JoVE
x logofacebook logolinkedin logoyoutube logo
ACERCA DE JoVE
Visión GeneralLiderazgoBlogCentro de Ayuda JoVE
AUTORES
Proceso de PublicaciónConsejo EditorialAlcance y PolíticasRevisión por ParesPreguntas FrecuentesEnviar
BIBLIOTECARIOS
TestimoniosSuscripcionesAccesoRecursosConsejo Asesor de BibliotecasPreguntas Frecuentes
INVESTIGACIÓN
JoVE JournalMethods CollectionsJoVE Encyclopedia of ExperimentsArchivo
EDUCACIÓN
JoVE CoreJoVE BusinessJoVE Science EducationJoVE Lab ManualCentro de Recursos para ProfesoresSitio de Profesores
Términos y Condiciones de Uso
Política de Privacidad
Políticas
  1. Home
  3. Interruptores De Picosegundos Habilitados Con Nanoplasma Para Electrónica Ultrarrápida
  1. Home
  3. Interruptores De Picosegundos Habilitados Con Nanoplasma Para Electrónica Ultrarrápida

Video Experimental Relacionado

Trapping of Micro Particles in Nanoplasmonic Optical Lattice
07:20

Trapping of Micro Particles in Nanoplasmonic Optical Lattice

Published on: September 5, 2017

6.9K

Interruptores de picosegundos habilitados con nanoplasma para electrónica ultrarrápida

Mohammad Samizadeh Nikoo1, Armin Jafari1, Nirmana Perera1

  • 1Power and Wide-band-gap Electronics Research Laboratory (POWERlab), Institute of Electrical Engineering, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), Lausanne, Switzerland.

Nature
|March 28, 2020

Ver abstracta en PubMed

Resumen
Este resumen es generado por máquina.

Los investigadores desarrollaron un nuevo interruptor electrónico de plasma (nanoplasma) a nanoescala para la conmutación de señales ultrarrápida. Este dispositivo de nanoplasma logra velocidades de conmutación de picosegundos, superando significativamente a los transistores convencionales para la generación de señales de terahertz de alta potencia.

Más Videos Relacionados

All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics
11:33

All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics

Published on: January 19, 2018

10.1K
High-Speed Magnetic Tweezers for Nanomechanical Measurements on Force-Sensitive Elements
08:50

High-Speed Magnetic Tweezers for Nanomechanical Measurements on Force-Sensitive Elements

Published on: May 12, 2023

2.6K

Videos de Experimentos Relacionados

Trapping of Micro Particles in Nanoplasmonic Optical Lattice
07:20

Trapping of Micro Particles in Nanoplasmonic Optical Lattice

Published on: September 5, 2017

6.9K
All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics
11:33

All-electronic Nanosecond-resolved Scanning Tunneling Microscopy: Facilitating the Investigation of Single Dopant Charge Dynamics

Published on: January 19, 2018

10.1K
High-Speed Magnetic Tweezers for Nanomechanical Measurements on Force-Sensitive Elements
08:50

High-Speed Magnetic Tweezers for Nanomechanical Measurements on Force-Sensitive Elements

Published on: May 12, 2023

2.6K

Área de la Ciencia:

  • Electrónica de estado sólido
  • Dispositivos de plasma a nanoescala
  • Electrónica ultrarrápida

Sus antecedentes:

  • Las señales de banda ultra ancha y las ondas de terahertz tienen diversas aplicaciones en mediciones cuánticas, imágenes, detección, tratamientos biológicos y comunicaciones.
  • Los conmutadores electrónicos de alta velocidad son cruciales para estas aplicaciones, pero los dispositivos convencionales como los transistores de efecto de campo y de unión bipolar están limitados por la capacidad de salida.
  • Las tecnologías existentes luchan por satisfacer la demanda de conmutación de señales de alta velocidad y alta amplitud requerida para sistemas electrónicos avanzados.

Objetivo del estudio:

  • Para demostrar un nuevo dispositivo totalmente electrónico en chip que utiliza plasma a nanoescala (nanoplasma) para la conmutación de señales ultrarrápida.
  • Para lograr velocidades de conmutación de picosegundos con señales de salida de alta amplitud, superando las limitaciones de los interruptores electrónicos convencionales.
  • Explorar el potencial de los dispositivos de nanoplasma para la generación de señales de terahercios de alta potencia y su integración en diversas aplicaciones.

    • Principales métodos:

    • Desarrollo de un dispositivo totalmente electrónico en chip basado en plasma a nanoescala.
    • Caracterización de la velocidad de conmutación y los tiempos de elevación bajo campos eléctricos altos dentro del nanoplasma.
    • Integración de interruptores de nanoplasma con antenas dipolo para la emisión de señales de terahertz.

    Principales resultados:

    • Se han logrado velocidades de conmutación ultrarrápidas superiores a 10 voltios por picosegundo, significativamente más rápidas que los transistores de efecto de campo y los conmutadores convencionales.
    • Se midieron tiempos de subida extremadamente cortos hasta cinco picosegundos, limitados por la configuración de medición.
    • Se generan señales de terahercios de alta potencia con una compensación de frecuencia de potencia de 600 milivatios terahercios al cuadrado mediante la integración de interruptores de nanoplasma con antenas.

    Conclusiones:

    • El interruptor de nanoplasma demostrado ofrece velocidades de conmutación de picosegundos sin precedentes y capacidades de generación de señales de terahercios de alta potencia.
    • La compacidad y la facilidad de integración del dispositivo allanan el camino para avances en imágenes, sensores, comunicaciones y campos biomédicos.
    • La tecnología de nanoplasma representa un salto significativo en la electrónica ultrarrápida, permitiendo sistemas de alto rendimiento de próxima generación.