Alta potencia térmica en un marco de metal orgánico semiconductor 3D basado en Zn

Jihye Park1, Allison C Hinckley1, Zhehao Huang2

  • 1Department of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305, United States.

Resumen

Los investigadores desarrollaron un nuevo marco metal-orgánico conductor 3D (c-MOF) llamado Zn-HAB. Este material exhibe propiedades termoeléctricas prometedoras, lo que marca un avance significativo para los c-MOF 3D en aplicaciones de energía.