Sitios de ingeniería de un solo átomo Ni-N4-O en fotoánodos de semiconductores para la división fotoelectroquímica de

Xiaomeng Zhang1, Panlong Zhai1, Yanxue Zhang2

  • 1State Key Laboratory of Fine Chemicals, School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, P. R. China.

Resumen

Los sitios de Ni-N4-O dispersos por ingeniería aumentan significativamente el rendimiento fotoelectroquímico de la división del agua. Este avance mejora la conversión de energía solar al mejorar el transporte de carga y lograr una densidad de fotocorriente récord.