Síntesis asistida por pasos en la superficie de nanorilas de grafeno incrustadas con vacantes periódicas

Ruoting Yin1, Jianing Wang1, Zhen-Lin Qiu2

  • 1Hefei National Research Center for Physical Sciences at the Microscale and Synergetic Innovation Center of Quantum Information & Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, China.

Resumen

Los investigadores sintetizaron nuevas cintas de grafeno porosas con divacancias incrustadas utilizando métodos en la superficie. Este avance permite un control preciso de las propiedades electrónicas y la ingeniería de brecha de banda en las nanocintas de grafeno (GNR).