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Low Pressure Vapor-assisted Solution Process for Tunable Band Gap Pinhole-free Methylammonium Lead Halide Perovskite Films
Published on: September 8, 2017
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Cristales únicos de perovskita halogenada de alta entropía estabilizados por una química suave
Maria C Folgueras1,2,3, Yuxin Jiang2,4, Jianbo Jin4
1Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, Berkeley, CA, USA.
Nature
|August 16, 2023
Resumen
Los investigadores desarrollaron una síntesis a baja temperatura para nuevos cristales simples de semiconductores de alta entropía. Estas perovskitas de halogenuros metálicos ofrecen una nueva vía para materiales funcionales avanzados.
Área de la Ciencia:
- Ciencias de los materiales
- Química del estado sólido
- Física de los semiconductores
Sus antecedentes:
- Los materiales de alta entropía (HEM) son prometedores para aplicaciones funcionales, pero generalmente requieren síntesis a alta temperatura (> 1000 °C) y procesamiento complejo.
- El desarrollo de rutas de síntesis a baja temperatura para los HEM es crucial para una mayor accesibilidad y una reducción de los costes de fabricación.
- El diseño de estructuras cristalinas con enlaces iónicos y bajas energías de cohesión es una estrategia clave para permitir la formación de HEM a baja temperatura.
Objetivo del estudio:
- Desarrollar métodos de síntesis basados en soluciones a temperatura ambiente (20°C) y baja temperatura (80°C) para cristales simples de semiconductores de alta entropía (HES).
- Explorar la formación de cristales únicos de HES basados en la estructura cúbica de perovskita doble ordenada por vacío Cs2MCl6.
- Investigar las propiedades estructurales y electrónicas derivadas de la incorporación de múltiples elementos metálicos en el sitio M.
Principales métodos:
- Síntesis a base de solución a 20°C y 80°C utilizando tintas multielementarias que contienen cationes Cs+ y aniones [MCl6]2- aislados (M=Zr, Sn, Te, Hf, Re, Os, Ir, Pt).
- Autoensamblaje de complejos estabilizados en ácido clorhídrico para formar cristales simples de una sola fase.
- Caracterización de la estructura cristalina, estequiometría y propiedades electrónicas de los cristales simples HES resultantes.
Principales resultados:
- Síntesis exitosa de semiconductores monofásicos y monocristalinos de alta entropía con la estructura de perovskita doble Cs2MCl6 a bajas temperaturas.
- Formación de dos familias de HES: composiciones de cinco y seis elementos que ocupan el sitio M como una aleación aleatoria en proporciones casi equimolares.
- Observación de estructuras vibratorias y electrónicas complejas debido a orbitales moleculares octaédricos [MCl6] y interacciones de excitones desordenados.
Conclusiones:
- Se ha establecido una nueva ruta de síntesis de soluciones a baja temperatura para cristales simples de semiconductores de alta entropía.
- Los cristales simples de perovskita halogenada de metal desarrollados exhiben propiedades estructurales y electrónicas únicas impulsadas por una alta entropía.
- Este trabajo abre nuevas vías para diseñar y fabricar materiales funcionales avanzados en condiciones más suaves.
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