Jove
Visualize
Contáctanos
JoVE
x logofacebook logolinkedin logoyoutube logo
ACERCA DE JoVE
Visión GeneralLiderazgoBlogCentro de Ayuda JoVE
AUTORES
Proceso de PublicaciónConsejo EditorialAlcance y PolíticasRevisión por ParesPreguntas FrecuentesEnviar
BIBLIOTECARIOS
TestimoniosSuscripcionesAccesoRecursosConsejo Asesor de BibliotecasPreguntas Frecuentes
INVESTIGACIÓN
JoVE JournalMethods CollectionsJoVE Encyclopedia of ExperimentsArchivo
EDUCACIÓN
JoVE CoreJoVE BusinessJoVE Science EducationJoVE Lab ManualCentro de Recursos para ProfesoresSitio de Profesores
Términos y Condiciones de Uso
Política de Privacidad
Políticas

Videos de Conceptos Relacionados

MOS Capacitor01:25

MOS Capacitor

782
A Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor is a fundamental structure used extensively in semiconductor device technology, particularly in the fabrication of integrated circuits and MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors). The MOS capacitor consists of three layers: a metal gate, a dielectric oxide, and a semiconductor substrate.
The metal gate is typically made from highly conductive materials such as aluminum or polysilicon. Beneath the metal gate lies a thin layer of...
782
Design Example: Capacitance Multiplier Circuit01:20

Design Example: Capacitance Multiplier Circuit

774
In integrated circuit technology, a capacitance multiplier is often utilized to produce a larger capacitance value when a small physical capacitance falls short. This is achieved by a circuit that multiplies capacitance values by a factor of up to 1000, such that a 10-pF capacitor can replicate the performance of a 100-nF capacitor.
The circuit illustrated in Figure 1 below incorporates two op-amps, with the first operating as a voltage follower and the second acting as an inverting amplifier.
774
MOSFET: Enhancement Mode01:22

MOSFET: Enhancement Mode

336
Enhancement-mode MOSFETs are pivotal components in electronics, distinguished by their capacity to act as highly efficient switches. They are part of the larger family of metal-oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs). They are available in two types: p-channel and n-channel, each tailored to specific polarity operations.
In their basic form, enhancement-mode MOSFETs are typically non-conductive when the gate-source voltage (Vgs) is zero. This default 'off' state means no...
336
Non-ohmic Devices00:51

Non-ohmic Devices

1.1K
In most substances, the current flow is proportional to the voltage applied to it. A simple relationship between the values of current, voltage, and resistance is known as Ohm's law. Nonohmic devices do not exhibit a linear relationship between voltage and current. One such device is the semiconducting circuit element known as a diode. A diode is a circuit device that allows current flow in only one direction.
Consider a simple circuit consisting of a battery, a diode, and a resistor. A...
1.1K

También podría leer

Artículos Relacionados

Artículos vinculados a este trabajo por autores compartidos, revista y gráfico de citas.

Ordenar por
Same author

Diffusive memristors in the edge of chaos.

Nature communications·2026
Same author

Printed devices turn neuromorphic.

Nature nanotechnology·2026
Same author

Trustworthy tree-based machine learning by MoS<sub>2</sub> flash-based analog content-addressable memory with inherent soft boundaries.

Nature communications·2026
Same author

Gungnir codec enabling high error-tolerance and low-redundancy DNA storage through substantial computing power.

Nature communications·2026
Same author

High-temperature memristors enabled by interfacial engineering.

Science (New York, N.Y.)·2026
Same author

Programmable ferroelectric rectifier for reliable and efficient neuromorphic crossbar array.

Nature communications·2026
Same journal

A native sulfur deposit in Gale crater, Mars.

Science (New York, N.Y.)·2026
Same journal

Coordinated demise of harmful algal blooms.

Science (New York, N.Y.)·2026
Same journal

Genetic effects put into context.

Science (New York, N.Y.)·2026
Same journal

Bacteria share proteins to survive antibiotics.

Science (New York, N.Y.)·2026
Same journal

Impacts shaped Earth's first continents.

Science (New York, N.Y.)·2026
Same journal

Erratum for the Report "Covalently bonded single-molecule junctions with stable and reversible photoswitched conductivity" by C. Jia <i>et al</i>.

Science (New York, N.Y.)·2026
Ver todos los artículos relacionados

Video Experimental Relacionado

Updated: Jul 2, 2025

A Method for Growing Bio-memristors from Slime Mold
07:46

A Method for Growing Bio-memristors from Slime Mold

Published on: November 2, 2017

9.0K

Programación de matrices de memristor con una precisión arbitrariamente alta para la computación analógica

Wenhao Song1,2, Mingyi Rao2, Yunning Li3

  • 1Ming Hsieh Department of Electrical and Computer Engineering, University of Southern California, Los Angeles, CA, USA.

Science (New York, N.Y.)
|February 22, 2024
PubMed
Resumen
Este resumen es generado por máquina.

Este estudio introduce un nuevo enfoque de computación en memoria utilizando memristores para superar las limitaciones de precisión en el modelado de sistemas físicos complejos. El nuevo método logra cálculos de alta precisión con dispositivos analógicos de baja potencia, mejorando el descubrimiento científico.

Más Videos Relacionados

Assembly and Characterization of Biomolecular Memristors Consisting of Ion Channel-doped Lipid Membranes
08:07

Assembly and Characterization of Biomolecular Memristors Consisting of Ion Channel-doped Lipid Membranes

Published on: March 9, 2019

7.8K
In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx
09:49

In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx

Published on: May 13, 2020

4.1K

Videos de Experimentos Relacionados

Last Updated: Jul 2, 2025

A Method for Growing Bio-memristors from Slime Mold
07:46

A Method for Growing Bio-memristors from Slime Mold

Published on: November 2, 2017

9.0K
Assembly and Characterization of Biomolecular Memristors Consisting of Ion Channel-doped Lipid Membranes
08:07

Assembly and Characterization of Biomolecular Memristors Consisting of Ion Channel-doped Lipid Membranes

Published on: March 9, 2019

7.8K
In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx
09:49

In Situ Transmission Electron Microscopy with Biasing and Fabrication of Asymmetric Crossbars Based on Mixed-Phased a-VOx

Published on: May 13, 2020

4.1K

Área de la Ciencia:

  • * Ingeniería neuromórfica y arquitecturas informáticas avanzadas.
  • * Ciencias de los materiales y física de los dispositivos de estado sólido.

Sus antecedentes:

  • * La computación en memoria ofrece potencial para modelar sistemas físicos complejos, pero se enfrenta a desafíos como el ruido y la variabilidad.
  • * Estas limitaciones dificultan la escalabilidad, la precisión y la precisión en los cálculos de alto rendimiento.

Objetivo del estudio:

  • * Proponer y demostrar una arquitectura de circuitos y un protocolo de programación para la computación de alta precisión en memoria.
  • * Permitir que los dispositivos analógicos de baja precisión realicen cálculos de alta precisión convirtiendo los resultados en digitales en el paso final.

Principales métodos:

  • * Utilizando una suma ponderada de múltiples dispositivos de memristor para representar un único valor numérico.
  • * Implementación de un protocolo de programación en el que los dispositivos posteriores compensan los errores de los anteriores.
  • * Validación experimental en un memristor sistema en chip (SoC).

Principales resultados:

  • * Soluciones demostradas de alta precisión para diversas tareas de computación científica utilizando la arquitectura propuesta.
  • * Se han logrado importantes ventajas de eficiencia energética en comparación con los enfoques convencionales de computación digital.
  • * Compensación exitosa de las inexactitudes del dispositivo analógico a través del nuevo protocolo de programación.

Conclusiones:

  • * La arquitectura y el protocolo de computación en memoria desarrollados superan efectivamente las limitaciones de precisión en los dispositivos analógicos.
  • * Este enfoque permite un cálculo de alto rendimiento y eficiencia energética para problemas científicos complejos.
  • * El sistema en chip basado en memristor demuestra un camino viable hacia la computación de próxima generación para la investigación científica.