La pseudo-nanoestructura y la liberación del agujero atrapado inducen un alto rendimiento termoeléctrico en PbTe

Baohai Jia1, Di Wu2, Lin Xie1

  • 1Shenzhen Key Laboratory of Thermoelectric Materials, Department of Physics, Southern University of Science and Technology, Shenzhen 518055, China.

Science (New York, N.Y.)
|April 4, 2024
PubMed
Resumen

Los investigadores desarrollaron materiales termoeléctricos avanzados utilizando telururo de plomo. Estos materiales logran un alto rendimiento termoeléctrico (zT hasta 2,8) mediante el control del transporte de calor y electricidad, lo que promete una conversión de energía eficiente.