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Updated: Jun 11, 2026

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
Ya-Kun Wang1, Haoyue Wan2, Sam Teale2,3
1Institute of Functional Nano and Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials and Devices, Soochow University, Suzhou, People's Republic of China.
Los investigadores desarrollaron un tratamiento químico para mejorar el orden de largo alcance de las películas de puntos cuánticos de perovskita (QD), mejorando significativamente la conductividad y la estabilidad en QD-LED para pantallas más brillantes, más eficientes y de mayor duración.
12:57Resonance Fluorescence of an InGaAs Quantum Dot in a Planar Cavity Using Orthogonal Excitation and Detection
Published on: October 13, 2017
10:41Enhanced Electron Injection and Exciton Confinement for Pure Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes by Introducing Partially Oxidized Aluminum Cathode
Published on: May 31, 2018
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