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Updated: Jun 24, 2025

A Fabrication and Measurement Method for a Flexible Ferroelectric Element Based on Van Der Waals Heteroepitaxy
Published on: April 8, 2018
Renji Bian1,2, Ri He3, Er Pan1
1School of Optoelectronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 611731, China.
Los investigadores desarrollaron una memoria ferroeléctrica libre de fatiga utilizando disulfuro de molibdeno de doble capa 3R (3R-MoS 2). Este avance supera las limitaciones materiales, allanando el camino para dispositivos de memoria no volátiles altamente duraderos.
Área de la Ciencia:
Sus antecedentes:
Objetivo del estudio:
Principales métodos:
Principales resultados:
Conclusiones: