Fabricación de estructuras transversales mediante litografía híbrida para el posicionamiento a nanonivel

Jingwen Li1, Shengtong Wang1, Xinghui Li2

  • 1Shenzhen International Graduate School, Tsinghua University, Shenzhen, 518055, China.

PubMed
Resumen

Este estudio presenta un nuevo método de litografía híbrida de interferencia de máscara para fabricar estructuras de escala cruzada complejas. Esta técnica permite dispositivos de detección de alta precisión que son cruciales para la fabricación de semiconductores y los sistemas de inspección.