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Updated: Sep 10, 2025
Synthesis and Characterization of High c-axis ZnO Thin Film by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System and its UV Photodetector Application
Published on: October 3, 2015
Películas delgadas de ZnO dopadas con indio obtenidas mediante pirólisis por pulverización para fotodetección
Pavlina Bancheva-Koleva1, Veselin Zhelev2, Plamen Petkov1
1Physics Department, University of Chemical Technology and Metallurgy, 8 Kliment Ohridski Blvd., 1756 Sofia, Bulgaria.
Este estudio exploró películas delgadas de óxido de zinc dopado con indio (ZnO) preparadas mediante pirólisis por pulverización. El dopaje de indio mejoró la uniformidad del grano y la fotosensibilidad, mostrando potencial para dispositivos sensibles a la posición.
Área de la Ciencia:
- Ciencias de los materiales
- Nanotecnología
- Deposición de película delgada
Sus antecedentes:
- El óxido de zinc (ZnO) es un semiconductor versátil con aplicaciones en electrónica.
- El dopaje de indio puede modificar las propiedades de ZnO para mejorar el rendimiento.
- La pirólisis por pulverización es una técnica de deposición de película delgada rentable.
Objetivo del estudio:
- Investigar el impacto de la concentración de dopaje de indio en las propiedades de la película delgada de ZnO.
- Caracterizar la morfología, la estructura y las características ópticas de ZnO:En películas.
- Evaluar el potencial de estas películas para aplicaciones de dispositivos sensibles a la posición.
Principales métodos:
- Deposición por pirólisis por pulverización de ZnO y ZnO: en películas delgadas sobre sustratos de vidrio y silicio.
- Difracción de rayos X para el análisis estructural.
- Microscopía electrónica de barrido (SEM) y microscopía de fuerza atómica (AFM) para la morfología y rugosidad de la superficie.
- Mediciones de la transmitancia óptica.
Principales resultados:
- XRD confirmó una estructura policristalina de wurtzita para todas las películas.
- SEM reveló superficies lisas y uniformes con una densidad de núcleos creciente después del dopaje de indio.
- El AFM mostró un aumento de la rugosidad RMS con mayores concentraciones de indio (por ejemplo, 13,76 nm para 8 mol%).
- La transmitancia de la película disminuyó ligeramente con el aumento del contenido de indio.
- La fotosensibilidad LPV medida alcanzó aproximadamente 44 mV/ mm.
Conclusiones:
- El dopaje con indio influye en la microestructura y la morfología superficial de las películas delgadas de ZnO.
- Las películas preparadas de ZnO:In muestran una fotosensibilidad prometedora para aplicaciones sensibles a la posición.
- La pirólisis por pulverización es un método viable para producir ZnO funcional: en películas delgadas.
