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Updated: Sep 9, 2025

Construction of a Wireless-Enabled Endoscopically Implantable Sensor for pH Monitoring with Zero-Bias Schottky Diode-based Receiver
Published on: August 27, 2021
Una LNA de 0,049 mm20,5 a 5,8 GHz que logra una ganancia plana alta basada en un inductor activo y una protección ESD
Dawei Dong1, Zhenrong Li1, You Quan1
1School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710126, China.
Este estudio presenta un amplificador de bajo ruido (LNA) de 0,5-5,8 GHz que utiliza un inductor activo (AI) y un diodo de descarga electrostática mejorado (ESD). El LNA obtiene una ganancia excelente y una baja cifra de ruido, lo que demuestra un rendimiento robusto para aplicaciones de RF.
Área de la Ciencia:
- Ingeniería eléctrica
- Microelectrónica y sus derivados
- Diseño del circuito de RF
Sus antecedentes:
- Los amplificadores de bajo ruido (LNA) son componentes críticos en los sistemas de radiofrecuencia (RF).
- La mejora del rendimiento de LNA requiere avances en los componentes activos y los circuitos de protección.
- Las variaciones de proceso y los efectos parasitarios pueden degradar la eficiencia de la LNA.
Objetivo del estudio:
- Introducir un nuevo diseño de LNA de 0,5-5,8 GHz.
- Para mejorar el rendimiento de LNA utilizando un inductor activo (AI) basado en girador C y un diodo de descarga electrostática (ESD) de aislamiento de zanja profunda (DTI) mejorado.
- Para analizar la planitud de ganancia y las características de ruido del LNA desarrollado.
Principales métodos:
- Diseño y fabricación de un LNA de 0,5-5,8 GHz utilizando la tecnología SiGe BiCMOS de 0,18 μm.
- Integración de un inductor activo basado en girador C (AI) para un rendimiento consistente.
- Implementación de un diodo DTI ESD mejorado para minimizar la capacidad parasitaria.
Principales resultados:
- El LNA logró un S21 alto de 18,3 ± 0,3 dB en la banda de 0,5-5,8 GHz.
- Se registró una cifra mínima de ruido de 2,6 dB.
- Los parámetros S11 y S22 se mantuvieron por debajo de -10 dB, lo que indica una buena correspondencia de impedancia.
- Los inductores activos mostraron una excelente consistencia a través de las variaciones de proceso, voltaje, temperatura (PVT) y potencia de entrada.
- Los diodos DTI mejorados redujeron la capacidad parasitaria en un promedio de 8,5%.
Conclusiones:
- El LNA desarrollado demuestra un rendimiento superior con una alta ganancia y una baja cifra de ruido.
- La integración de AI y diodos DTI ESD mejorados contribuye a mejorar la consistencia de LNA y a reducir los parásitos.
- El LNA es adecuado para aplicaciones de RF exigentes que requieren una amplificación estable y eficiente.
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