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Updated: May 7, 2026
08:21
Laser-induced Forward Transfer for Flip-chip Packaging of Single Dies
Published on: March 20, 2015
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Eliminación selectiva por láser de las capas de blindaje EMI de los módulos integrados en el sistema (SiP)
Xuan-Bach Le1, Won Yong Choi2, Keejun Han3
1Energy & Environment Research Institute, Seoul National University of Science and Technology, Seoul 01811, Republic of Korea.
Micromachines
|August 28, 2025
Resumen
Un nuevo método basado en láser elimina selectivamente las capas de protección de interferencia electromagnética (EMI) de los paquetes de semiconductores sin máscaras físicas. Esta técnica sin contacto ofrece una solución rápida y libre de daños para las tecnologías avanzadas de sistema en paquete (SiP).
Área de la Ciencia:
- Ciencias de los materiales
- Ingeniería eléctrica
- Tecnología de fabricación
Sus antecedentes:
- El aumento de la complejidad en las tecnologías de sistema en paquete (SiP) impulsa la demanda de protección selectiva de interferencia electromagnética (EMI).
- El pulverización convencional para el blindaje EMI carece de selectividad y requiere un enmascaramiento o un postprocesamiento adicionales.
Objetivo del estudio:
- Proponer y validar un nuevo enfoque basado en láser para la eliminación selectiva de las capas de blindaje EMI.
- Investigar los efectos térmicos y mecánicos de la irradiación láser en las estructuras de blindaje multicapa.
Principales métodos:
- Simulaciones numéricas del comportamiento térmico y mecánico bajo irradiación de área completa y escaneo láser.
- Validación experimental utilizando un láser de fibra pulsada de nanosegundos para la eliminación selectiva de las capas.
- Optimización de la potencia del láser y la velocidad de escaneo para una delaminación efectiva sin daños en el sustrato.
Principales resultados:
- El escaneo láser indujo una tensión de corte interfacial más alta (38,6 MPa) que la irradiación de área completa (12,5 MPa), promoviendo la delaminación.
- La potencia óptima del láser (~6 W) y la velocidad de escaneo (50 mm/s) lograron la eliminación completa del blindaje sin dañar el compuesto de molde epoxi (EMC).
- La potencia excesiva del láser (8 W) condujo a la degradación del material, lo que pone de relieve la importancia de la optimización de los parámetros.
Conclusiones:
- Es factible un método sin contacto, libre de daños y basado en láser selectivo para la eliminación del blindaje EMI.
- Esta técnica ofrece una solución prometedora para el embalaje de semiconductores de próxima generación que requiere un control preciso de EMI.
- El estudio demuestra un procesamiento eficiente del material con un tiempo de irradiación mínimo (0,14 s).
