Estrategias de diseño para el pseudo-resistor MOS optimizado a granel

Área de la Ciencia:

• Diseño de circuitos integrados
• Física de los dispositivos de semiconductores

Sus antecedentes:

• La técnica de linearización a granel extiende la región lineal de los MOSFET para elementos de pseudo-resistencia.
• Los métodos existentes pueden ser complejos e impactar el área, el desplazamiento y el consumo de energía.

Objetivo del estudio:

• Proponer un nuevo circuito de sesgo simplificado para pseudo-resistores MOSFET.
• Optimizar el área, el desplazamiento y el consumo de energía sin aumentar la complejidad del diseño.

Principales métodos:

• Centrándose en la optimización del circuito de sesgo de la puerta de la estructura MOSFET compuesta.
• Utilización de simulaciones posteriores al diseño para verificar la estrategia de diseño.
• Aplicación de la estrategia para diseñar un filtro de paso de banda para la adquisición de señales neuronales.

Principales resultados:

• El circuito de sesgo propuesto optimiza el área, el desplazamiento y el consumo de energía.
• Las simulaciones confirman la eficacia de la estrategia de diseño.
• El análisis de la distorsión armónica y del ruido valida el enfoque para aplicaciones prácticas.

Conclusiones:

• El nuevo diseño del circuito de sesgo mejora efectivamente el rendimiento de la pseudo-resistencia MOSFET.
• Este enfoque ofrece una solución práctica para diseños de circuitos integrados compactos y eficientes.
• La estrategia está validada para su uso en aplicaciones como filtros de adquisición de señales neuronales.