Dopaje superficial sinérgico de cristales orgánicos con arquitecturas de puertas de origen: transistores extensibles

Xiaojing Zhang1, Dong Liu1, Bin Lu1

  • 1State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China. the@sdu.edu.cn.

Materials horizons
|August 29, 2025
PubMed
Resumen

Este estudio mejora la electrónica flexible orgánica mediante el uso de cristales únicos dopados superficialmente en transistores con puerta de origen (SGT), logrando una alta movilidad y una estabilidad mejorada para dispositivos electrónicos confiables.