Barras láser simétricas PT de alto brillo con modulación puntual excepcional mediante la combinación de haces...

Área de la Ciencia:

• Óptica y fotónica
• Lasers de semiconductores
• Óptica no lineal

Sus antecedentes:

• Los sistemas simétricos de paridad-tiempo (PT) ofrecen propiedades ópticas únicas.
• Las barras láser de semiconductores requieren una mayor eficiencia y calidad del haz.
• La combinación de rayos espectrales es una técnica para sistemas láser de alta potencia.

Objetivo del estudio:

• Para demostrar experimentalmente las barras láser de semiconductores simétricas PT.
• Para mejorar el rendimiento del láser a través de la combinación de haces espectrales.
• Investigar la reducción del umbral de ruptura de la simetría PT y el aumento del brillo.

Principales métodos:

• Fabricación de barras láser de semiconductores simétricas PT.
• Aprovechamiento experimental mediante la combinación de haces espectrales.
• Análisis numérico con un modelo equivalente de tres espejos y efecto de ganancia de sujeción.

Principales resultados:

• Se observó una reducción del 22,20% en la corriente del umbral de ruptura de simetría PT.
• Valores medidos de M2 de 1,83 (eje lento) y 1,86 (eje rápido) a 26 A.
• Brillo máximo calculado de 411 MW·cm−2·sr−1 con una potencia de salida de 13,16 W.

Conclusiones:

• Las barras láser semiconductoras simétricas PT con combinación de haz espectral muestran un rendimiento mejorado.
• La retroalimentación de la cavidad externa permite un control flexible del punto de excepción.
• El estudio logró un brillo mejorado y una corriente de umbral reducida en los sistemas láser.