Efectos de varios recocidos en el comportamiento de la termoluminiscencia del nitruro de boro hexagonal: un...

Área de la Ciencia:

• Ciencias de los materiales
• Física del estado sólido
• Dosimetría

Sus antecedentes:

• El nitruro de boro hexagonal (h-BN) es un semiconductor de nitruro del grupo III con aplicaciones potenciales de termoluminiscencia (TL).
• La optimización de las condiciones de recocido es crucial para mejorar las propiedades dosimétricas de los materiales TL.

Objetivo del estudio:

• Investigar el impacto de varios métodos de recocido en las curvas de brillo TL de h-BN.
• Determinar los parámetros óptimos de recocido para un rendimiento dosimétrico TL ideal.

Principales métodos:

• Se emplearon dos métodos de recocido: temperatura variable (200-1000°C) con una duración fija (30 min) y duración variable (1-120 min) a una temperatura fija (900°C).
• Se analizaron las curvas de brillo de termoluminiscencia (TL).
• Se utilizaron microscopía electrónica de barrido (SEM) y difracción de rayos X (XRD) para evaluar las propiedades microestructurales.

Principales resultados:

• Se observaron dos picos de TL prominentes a 160 °C y 255 °C para temperaturas de recocido entre 600 y 900 °C y duraciones de 1 a 30 minutos.
• Un pico superficial adicional surgió a ~ 85 ° C a temperaturas más altas y duraciones extendidas.
• El rendimiento TL óptimo se logró con recocido a 900°C durante 30 minutos, seguido de un período de almacenamiento de 10 minutos.
• Los análisis SEM y XRD indicaron una mejor estabilidad microestructural y homogeneidad en condiciones óptimas de recocido.

Conclusiones:

• Los parámetros de recocido influyen significativamente en la respuesta TL de h-BN.
• El protocolo de recocido óptimo (900 °C durante 30 min + 10 min de almacenamiento) da lugar a propiedades dosimétricas superiores y estabilidad microestructural.
• Este material h-BN optimizado es prometedor para aplicaciones de dosimetría de termoluminiscencia.