Video Experimental Relacionado
Updated: Sep 9, 2025

Fabrication and Characterization of High-Q Silicon Nitride Membrane Resonators
Published on: August 8, 2025
Modo de alto rendimiento (desmultiplexador) asistido con un resonador de microanillo en la plataforma de niobato de
Wenbing Jiang1,2, Jiang Qu1,2,3, Yu Guo1,2
1Wangzhijiang Innovation Center for Laser, Aerospace Laser Technology and System Department, Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201800, China.
Desarrollamos un nuevo modo en chip (de) multiplexador para moduladores acústico-ópticos integrados en un aislante de niobato de litio. Este dispositivo alcanza altas relaciones de extinción, cruciales para aplicaciones fotónicas avanzadas.
Área de la Ciencia:
- Fotónica y ingeniería óptica
- Ciencias de los materiales (Niobato de litio en aislante)
Sus antecedentes:
- Los desmultiplejadores de modo de alto índice de extinción son esenciales para la multiplexión por división de modo de alta capacidad y los moduladores acústico-ópticos en chip (AOM).
- Los actuales desmultiplejadores en modo en chip carecen de un rendimiento suficiente para los AOM integrados en la plataforma de niobato de litio en aislante (LNOI).
Objetivo del estudio:
- Proponer y demostrar un esquema innovador para el enrutamiento de señales de alto índice de extinción en la modulación acústo-óptica.
- Para hacer frente a las limitaciones de los actuales módulos de multiplejación en chip (de) para los AOM integrados en LNOI.
Principales métodos:
- Utilizó un desmultiplexador de dos modos combinado con un resonador de microrrido de pista de carreras de alta Q.
- Dispositivos integrados fabricados mediante litografía de haz de electrones en un solo paso y procesos de grabado en seco.
Principales resultados:
- El (des) multiplexador de dos modos logró una interferencia intermodal por debajo de -20 dB y una pérdida de inserción en el chip por debajo de 1,92 dB a través de 1514-1580 nm.
- El filtro de resonador de microrred aumentó la supresión de la señal portadora, lo que resultó en una relación de extinción medida superior a 30 dB.
Conclusiones:
- El dispositivo desarrollado ofrece una solución factible y compacta para AOM intermodales prácticos en LNOI.
- Esta tecnología permite avances en el procesamiento de información fotónica y cuántica, fotónica de microondas y aplicaciones LiDAR.
Videos de Conceptos Relacionados
MOSFET: Enhancement Mode
In their basic form, enhancement-mode MOSFETs are typically non-conductive when the gate-source voltage (Vgs) is zero. This default 'off' state means no...
Design Example: Capacitance Multiplier Circuit
The circuit illustrated in Figure 1 below incorporates two op-amps, with the first operating as a voltage follower and the second acting as an inverting amplifier.
MOSFET: Depletion Mode
The primary characteristic of depletion-mode MOSFETs is their ability to conduct current between the drain and source terminals without gate bias. This inherent conductivity...
MOS Capacitor
The metal gate is typically made from highly conductive materials such as aluminum or polysilicon. Beneath the metal gate lies a thin layer of...
MOSFET
In an n-MOSFET, the structure includes n-type source and drain...

